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Product Center當前位置:首頁產(chǎn)品中心四探針測試儀CV-5000電容電壓特性測試儀
電容電壓特性測試儀
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在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開發(fā)研制中,MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測試手段,通過C-V測試達到優(yōu)化生產(chǎn)過程中的工藝參數(shù),提高IC成品率。
MOS(金屬-氧化物-半導體)結構的電容是外加偏置電壓的函數(shù),MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線(簡稱C-V特性)。C-V曲線與半導體的導電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有密切的關系。 利用實際測量到的MOS結構的C-V曲線與理想的MOS結構的C-V特性曲線比較,可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)。
另外作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應(勢壘電容)。加正向偏壓時,PN結勢壘區(qū)變窄,勢壘電容變大;加反向偏壓時,PN結勢壘區(qū)變寬,勢壘電容變小。
CV-5000型電容電壓特性測試儀是測試頻率為1MHz的智能化數(shù)字的電容測試儀器,既可用于測試半導體器件PN結的勢壘電容在不同偏壓下的電容量,也可進行Mos電容的外加電壓掃描測試,還可測試其它MIS電容。
該儀器由主機和上位機(PC)組成,并在軟件控制下完成校準及測試等功能,同時顯示C-V電容電壓特性曲線。主機面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài),用數(shù)碼管組成的顯示板,將被測元件的數(shù)值,小數(shù)點清晰地顯示出來。儀器有較高的分辨率,電容量是五位讀數(shù),可分辮到0.001pF,偏置電壓分辨力為0.1V,漏電流分辨力為0.01uA。
儀器配有測量座,接插元件靈活,方便可靠。
該儀器軟件測試系統(tǒng)是一個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序,程序操作直觀易用。測試程序在計算機與該儀器連接的狀態(tài)下,通過計算機的USB口實現(xiàn)通訊。
測試程序控制電容電壓特性測試測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù),把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析,然后把測試數(shù)據(jù)以表格,圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在計算機中保存或者打印以備日后參考和查看,還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中,讓用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析。
CV-5000型電容電壓特性測試儀技術指標 :
測試信號頻率 1.000MHz±0.01%
測試信號電壓小于或等于100mVrms
電容測量范圍 1.000pF~5000.0pF
工作誤差±3.0%±2字
直流偏壓 -35V~+35V(可擴展),由軟件按設定步進電壓值輸出偏置電壓;
軟件功能:由軟件控制電壓的掃描輸出,讀取不同電壓點的電容值并在電腦中繪出電容-電壓的變化曲線。軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數(shù)據(jù),也可把測試 數(shù)據(jù)輸出到Excel中,對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析;
電腦通訊接口:USB通訊接口;
應用主要應用于PN結摻雜和MOS摻雜C-V特性測量在不同偏壓下的電容量,也可測試其它電容。
供電電流交流電壓:220V±5%;頻率: 50Hz±5%;消耗功率:不大于40W;
工作環(huán)境:溫度:0~40℃;濕度:20%~90%RH 40℃;