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產(chǎn)品中心

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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心四探針測(cè)試儀RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀

便攜式四探針測(cè)試儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

產(chǎn)品型號(hào):RTS-2/RTS-2A型
更新時(shí)間:2024-11-28
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量:2071
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品牌諾雷信達(dá)產(chǎn)地國(guó)產(chǎn)
產(chǎn)品新舊全新

RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。
本儀器廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能單晶(多晶)生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測(cè)試,半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

RTS-2便攜式四探針測(cè)試儀測(cè)量范圍

電阻率:0.01~1999.9Ω.cm;
方塊電阻:0.1~19999Ω/□;

RTS-2A測(cè)量范圍

電阻率:0.001~199.99Ω.cm;
方塊電阻:0.01~1999.9Ω/□;

RTS-2恒流源電流量程分為100μA、1mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)

RTS-2A恒流源電流量程分為1mA、10mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表

量程及表示形式:000.00~199.99mV;    
分辨力:10μV;
輸入阻抗:>1000MΩ;
精度:±0.1% ;
顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示;

四探針探頭基本指標(biāo):

間距:1±0.01mm;
針間絕緣電阻:≥1000MΩ;
機(jī)械游移率:≤0.3%;
探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
探針壓力:5~16 牛頓(總力);

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)

(見(jiàn)探頭附帶的合格證)

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差( 按JJG508-87進(jìn)行)

1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

整機(jī)測(cè)量ZUI大相對(duì)誤差(用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤5%

外型尺寸125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境

溫度:23±2℃;
相對(duì)濕度:≤65%;
無(wú)高頻干擾;
無(wú)強(qiáng)光直射;

 

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